图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 52A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 49 mOhm @ 26A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 63nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 357W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 52 A |
| RDS -于 | 49@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 53 ns |
| 典型上升时间 | 175 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 典型下降时间 | 29 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 357000 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 49@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.67(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.83(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 52 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 52A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 49 mOhm @ 26A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 357W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2900pF @ 25V |
| 其他名称 | FDB52N20TMTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 63nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 9.98 x 10.16 x 4.572mm |
| 身高 | 4.572mm |
| 长度 | 9.98mm |
| 最大漏源电阻 | 0.049 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 357 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 49 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 2230 pF V @ 25 |
| 宽度 | 10.16mm |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 52 A |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 下降时间 | 150 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.046296 oz |
| 配置 | Single |
| 正向跨导 - 闵 | 35 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | FDB52N20 |
| RDS（ON） | 49 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 250 W |
| 上升时间 | 160 ns |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 漏源导通电阻 | 0.049 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 200 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :52A |
| Drain Source Voltage Vds | :200V |
| On Resistance Rds(on) | :49mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :5V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | 80-4-5 |
FDB52N20TM也可以通过以下分类找到
FDB52N20TM相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家